SiLM27512器（qì）件是单（dān）通道高速低边门（mén）极驱动器，可有效（xiào）驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27512采（cǎi）用一种能够从（cóng）内部极大的降低直通（tōng）电流的（de）设（shè）计，将高峰（fēng）值的源电（diàn）流和（hé）灌电流（liú）脉冲提供给电容负载，以实（shí）现轨到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小（xiǎo）传（chuán）播（bō）延（yán）迟。
SiLM27512在12V的VDD供电情况下，能够提供4A的峰值源电（diàn）流和5A的峰值灌电流。
低成本的（de）门（mén）极驱（qū）动方（fāng）案可用于（yú）替代 NPN和 PNP 分离器（qì）件（jiàn）方案
4A 的峰值源电流（liú）和（hé）5A的峰值灌（guàn）电流能力
快速的（de）传输延时（典型（xíng）值为 18ns）
快速的上升（shēng）和下降（jiàng）时间（典型（xíng）值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压（yā）闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的（de）输入逻辑电压阈值
双（shuāng）输入设（shè）计(可选择反相或（huò）非反相驱动配置)
输入浮空时输出（chū）保持为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供（gòng）DFN3x3-6 的封（fēng）装选项
400 080 9938
