SLM27511器（qì）件是单通道高速低边（biān）门极（jí）驱动（dòng）器（qì），可有效驱动MOSFET和（hé）IGBT等（děng）功率（lǜ）开关。SLM27511采（cǎi）用一种能够从内部极大的降低直（zhí）通电流的设计，将高峰值的源电流（liú）和灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱动（dòng）能力和（hé）典型（xíng）值（zhí）仅为 18ns 的极（jí）小传（chuán）播延迟。
SLM27511在12V的VDD供（gòng）电（diàn）情况下，能够提（tí）供4A的峰值源电流和5A的峰值灌（guàn）电流。
低（dī）成本的门极驱动方案（àn）可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案（àn）
4A 的峰值源电流和5A的峰值灌电流能力
快（kuài）速的传输延（yán）时（典型值（zhí）为 18ns）
快速的上升（shēng）和（hé）下降时（shí）间（典型值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单（dān）电源范围（wéi）
VDD 欠压闭锁（suǒ）功能
兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输入（rù）逻辑电压阈（yù）值（zhí）
双输（shū）入设计(可选择反相（xiàng）或非反相驱动配（pèi）置)
输入浮空时输出保持为低
工作温度范（fàn）围为 -40°C 到140°C
提供（gòng） SOT23-6 的（de）封装选项
400 080 9938
